WD-300
實現無崩邊、不脫層、不傷底材及低(或無)殘留的加工。
為全自動設備，最大工作範圍為12吋晶圓：
滿足現在及未來的生產需求。
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為全自動設備，最大工作範圍為12吋晶圓。
實現無崩邊、不脫層、不傷底材及低(或無)殘留的加工。
實現無崩邊、不脫層、不傷底材及低(或無)殘留的加工。
-冷加工，實現無崩邊、不脫層、不傷底材及低(或無)殘留的加工。
-加工能力強，等間距/不等間距晶粒皆可切割。
-適用多種材料，如Si, low-k, GaN, GaAs, Al, Cu, Ni, EMC, … 等。
-多重操作方式，可參數式設定或載入DXF檔定義加工路徑。
-可選配：
•CO2 snow processor實現完全無殘留的加工。
•Plasma processor實現高強度晶粒。
-通過Semi-S2認證。